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V40100G-E3	文件：161.52 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.52 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100G-E3/4W	文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100G-E3/4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100G-E3_15	文件：151.39 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：151.39 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100G-E3SLASH4W	文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100G-E3SLASH4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100GHM3-4W	文件：131.76 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.76 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100G-M3-4W	文件：131.76 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.76 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100K	文件：132.72 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：132.72 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V40100K_15	文件：132.7 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：132.7 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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技术参数

VCC (V)：
1.65 - 5.5
Logic switching levels：
CMOS/LVTTL
Output drive capability (mA)：
± 32
fmax (MHz)：
175
Nr of bits：
2
Power dissipation considerations：
low
Tamb (°C)：
-40~125
Rth(j-a) (K/W)：
339
Rth(j-c) (K/W)：
166
Package name：
XSON8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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