High Current Density Surface-Mount (TMBS®) Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

High Current Density Surface-Mount TMBS짰) Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：158.66 Kbytes 页数：5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Package：8-PowerTDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：30A, 100V, FLATPAK 5X6 SINGLE TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：8-PowerTDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：30A, 100V, FLATPAK 5X6 SINGLE TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：8-PowerTDFN；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：30A, 100V, FLATPAK 5X6 SINGLE TR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division