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V30M100M-E3	文件：98.88 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30M100M-E3	文件：99.82 Kbytes Page：4 Pages	Low forward voltage drop, low power losses	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30M100M-E3_V01	文件：98.88 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30M100M-E3_15	文件：88.02 Kbytes Page：4 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30M100M-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 15A 100V TO-220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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