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V30100P	文件：96 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 8 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 260 °C, 40 s • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC TYPIC 文件：96 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100PW	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC 文件：83.58 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100PW-M3-4W	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC 文件：83.58 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100P_08	文件：103.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 8 A 文件：103.9 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100P-E3/45	文件：103.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 8 A 文件：103.9 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100P-E3SLASH45	文件：103.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 8 A 文件：103.9 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100PW	文件：77.36 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：77.36 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100PW-M3	文件：77.36 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：77.36 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100PW-M3_15	文件：80.46 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.46 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
V30100PW-M3_15	文件：87.57 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：87.57 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
V30100P
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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