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V30100P	文件：96 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.57VatIF=8A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC TYPIC	VishayVishay Siliconix 威世科技
V30100PW	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.58VatIF=8A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技
V30100PW-M3-4W	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.58VatIF=8A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技
V30100P_08	文件：103.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 8 A	VishayVishay Siliconix 威世科技
V30100P-E3/45	文件：103.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 8 A	VishayVishay Siliconix 威世科技
V30100PW	文件：77.36 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V30100PW-M3	文件：77.36 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V30100PW-M3_15	文件：80.46 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V30100PW-M3_15	文件：87.57 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V30100P-E3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V30100PW-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-3P-3 整包类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3PW	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
AMLDL-30100Z	文件：310.4 Kbytes Page：14 Pages	Upto1000mA\|LEDDriver Upto1000mA\|LEDDriver FEATURES: •StepDownDC/DCLEDdriver •Constantcurrentoutput •Wide(4:1)inputvoltagerange •Highefficiencyupto95 •OperatingTemperaturerange-40ºCto+85ºC •OpenandShortLEDProtection •PWM/DigitalandAnalogVoltagedimming	AIMTEC AIMTEC
AMLDL-30100Z	文件：353.85 Kbytes Page：14 Pages	Upto1000mA\|LEDDriver	AIMTEC AIMTEC
AMLDL-30100Z	文件：440.91 Kbytes Page：14 Pages	Upto1000mA\|LEDDriver	AIMTEC AIMTEC
AMLDLW-30100Z	文件：327.43 Kbytes Page：11 Pages	Upto1000mA\|LEDDriver Upto1000mA\|LEDDriver FEATURES: •WireConnections •Constantcurrentoutput •Wide(4:1)inputvoltagerange •Highefficiencyupto95 •StepDownDC/DCLEDdriver •OperatingTemperaturerange-40ºCto+85ºC •OpenandShortLEDProtection •PWM/Digital	AIMTEC AIMTEC
C30100CT	文件：486.18 Kbytes Page：3 Pages	30ATrenchSchottkyRectifier
CBRX30100CT	文件：471.17 Kbytes Page：4 Pages	TrenchSchottkyBarrierRectifier	Good-Ark Good-Ark
CDBHA30100LR-HF	文件：468.55 Kbytes Page：4 Pages	LowVFSchottkyBarrierRectifiers Features -Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. -Guardringforovervoltageprotection. -Lowpowerloss,highefficiency. -Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. -Highsurgecapability. -Idealforautomatedplacement.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CF30100CT	文件：476.47 Kbytes Page：3 Pages	30ATrenchSchottkyRectifier
CS30100CT-A	文件：468.78 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier

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详细参数

型号：
V30100P
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多V30100P供应商更新时间2024-4-28 9:12:00

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