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V30100PW-M3-4W	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC 文件：83.58 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
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更多V30100PW-M3-4W供应商更新时间2025-10-10 10:04:00