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V30200C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：216.21 Kbytes 页数：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
V30200C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 文件：158 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
V30200C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.89 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
V30200C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：157.99 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：216.21 Kbytes 页数：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 文件：158 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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详细参数
- 型号：
V30200C
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全称：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
TO220 |
10 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
VISHAY原装 |
25+23+ |
TO-220 |
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VISHAY |
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TO-220 |
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原装正品,现货特价 |
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VISHAY原装 |
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原装现货/放心购买 |
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Vishay(威世) |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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只做原装进口现货 |
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VISHAY/威世 |
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郑重承诺只做原装进口现货 |
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Vishay(威世) |
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