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V30200C	文件：216.21 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：216.21 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30200C	文件：158 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 文件：158 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30200C	文件：160.89 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.89 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30200C	文件：157.99 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：157.99 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30200C_V01	文件：216.21 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：216.21 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30200C_09	文件：160.89 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.89 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30200C_15	文件：155.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：155.56 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30200C_15	文件：157.99 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：157.99 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30200C-E3/4W	文件：158 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 文件：158 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V30200C-E3-4W	文件：160.89 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.89 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
V30200C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	V30200C	Vishay(威世)	24+	标准封装	17048	原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	V30200C	VISHAY	25+	TO220	10	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多V30200C供应商更新时间2025-10-4 23:00:00

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