V20DM120数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

厂商型号	V20DM120
参数属性	V20DM120 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V SMPD
功能描述	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A
封装外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型
制造商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世科技威世科技半导体
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-11 23:01:00
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V20DM120规格书详情

特性 Features

Trench MOS Schottky technology generation 2
Very low profile - typical height of 1.7 mm
Ideal for automated placement

应用 Application

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection in commercial, industrial, and automotive application.

技术参数

产品编号：
V20DM120C-M3/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
eSMP®, TMBS®
包装：
卷带（TR）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
10A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型
供应商器件封装：
SMPD
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V SMPD

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