V20200G-E3/VF20200G-E3/VB20200G-E3/VI20200G-E3中文资料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier数据手册Vishay规格书

厂商型号	V20200G-E3/VF20200G-E3/VB20200G-E3/VI20200G-E3
功能描述	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
制造商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世威世科技公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-11-25 23:00:00
人工找货	V20200G-E3/VF20200G-E3/VB20200G-E3/VI20200G-E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

oFor use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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