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V20DM120 | Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologygeneration2 •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifieda | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
Dual TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakM3of260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
包装：卷带（TR） 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V SMPD | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
包装：管件 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 10A SMPD | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
包装：卷带（TR） 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 10A SMPD | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
详细参数
- 型号：
V20DM120
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 功能描述：
120V, 20A TMBS RECTIFIER M TYPE LOW LEAKAGE CURRENT PERFORMA - Tape and Reel
- 功能描述：
DIODE SCHOTT DUAL 120V 20A SMPD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay |
18+ |
NA |
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