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V20120S-E3/4W	文件：166.29 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge 文件：166.29 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V20120S-E3/4W	文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V20120S-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB20120S-E3/4W	文件：166.29 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge 文件：166.29 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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产品属性

产品编号：
V20120S-E3/4W
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
TMBS®
包装：
管件
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB

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