Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nMeets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for D2PAK (TO-263AB) package)\nLow forward voltage drop, low power losses;

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Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO220AB

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