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V20100C	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20100C	文件：161.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.11 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20100C-E3	文件：167.08 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.08 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20100C-E3	文件：214.47 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：214.47 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20100C-E3/4W	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20100C-E3_V01	文件：214.47 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, 文件：214.47 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20100C-E3SLASH4W	文件：167.72 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s 文件：167.72 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20100C_09	文件：161.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.11 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20100C_15	文件：164.31 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：164.31 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V20100C_15	文件：130.12 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.12 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
V20100C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	V20100C	VISHAY	25+23+	TO220	49694	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
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