V10P20数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
V10P20 |
参数属性 | V10P20 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A |
功能描述 | High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A |
封装外壳 | TO-277,3-PowerDFN |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 23:01:00 |
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V10P20规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Very low profile - typical height of 1.1 mm
Ideal for automated placement
Trench MOS Schottky technology
应用 Application
For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号:
V10P20-M3/86A
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
eSMP®, TMBS®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
2.4A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-277,3-PowerDFN
- 供应商器件封装:
TO-277A(SMPC)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
4750 |
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Littelfuse(美国力特) |
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插件 |
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VISHAY |
24+ |
TO-277A(S |
20000 |
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Vishay |
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VISHAY |
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TO-277A |
20000 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
TO-277A-3 |
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VISHAY |
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NA |
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Vishay(威世) |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-277A-3 |
25630 |
原装正品 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
TO-277A-3 |
30000 |
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