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V10KM120DU数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

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厂商型号

V10KM120DU

参数属性

V10KM120DU 封装/外壳为8-PowerTDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY 120V 10A FLATPAK

功能描述

High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 2.5 A

封装外壳

8-PowerTDFN

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:00:00

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V10KM120DU规格书详情

描述 Description

分立

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in low voltage high frequency DC/DC converters, freewheeling diodes, and polarity protection applications.

技术参数

  • 产品编号:

    V10KM120DUHM3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    2 个独立式

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件封装:

    FlatPAK 5x6(双)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 10A FLATPAK

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