V10KM60C中文资料High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
V10KM60C |
| 参数属性 | V10KM60C 封装/外壳为8-PowerTDFN；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：10A, 60V, FLATPAK TRENCH SKY REC |
| 功能描述 | High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A |
| 封装外壳 | 8-PowerTDFN |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 10:21:00 |
| 人工找货 | V10KM60C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
V10KM60C规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in low voltage high frequency DC/DC converters, freewheeling diodes, and polarity protection applications.
技术参数
- 产品编号：
V10KM60CHM3/I
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
管件
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
4.8A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 175°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：
FlatPAK（5x6）
- 描述：
10A, 60V, FLATPAK TRENCH SKY REC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
A |
24+ |
b |
34 |
询价 | |||
Apex |
1824+ |
NA |
16 |
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24+ |
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Vishay(威世) |
2021/2022+ |
标准封装 |
6500 |
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原封装 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
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50000 |
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VISHAY/威世 |
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