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V10P10HE3SLASH87A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P10HM3	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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V10P10-M3	文件：1.5364 Mbytes Page：3 Pages	THINKI 10 Ampere,100 Volt Trench Process Low Vf Schottky Barrier Rectifier Features Low forward voltage drop ThinkiSemi matured trench barrier schottky High current capability High surge current capability Low reverse leakage current Application Inverter/Amplifier Photovoltaic Solar Cell Protection/SMPS Battery Reverse Protection Circuit/Charger 文件：1.5364 Mbytes 页数：3 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
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详细参数

型号：
V10
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
DZ23-V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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