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UPD43256B	文件：174.67 Kbytes Page：24 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT [NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE 文件：174.67 Kbytes 页数：24 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD43256B	文件：794.06 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 32,768 words by 8 bits organization • Fast access time: 70, 85, 100, 120 ns (MAX.) • Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V) • Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.) • /OE input for easy application 文件：794.06 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD43256B	文件：224.55 Kbytes Page：28 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT 文件：224.55 Kbytes 页数：28 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD43256B	文件：231.03 Kbytes Page：24 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT 文件：231.03 Kbytes 页数：24 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD43256B-A	文件：174.67 Kbytes Page：24 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT [NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE 文件：174.67 Kbytes 页数：24 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD43256B-AXX	文件：794.06 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 32,768 words by 8 bits organization • Fast access time: 70, 85, 100, 120 ns (MAX.) • Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V) • Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.) • /OE input for easy application 文件：794.06 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD43256B-AXXX	文件：659.4 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 32,768 words by 8 bits organization • Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.) • Operating ambient temperature: TA = –25 to +85 °C • Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 • Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.) • /OE input for ea 文件：659.4 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD43256B-B	文件：174.67 Kbytes Page：24 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT [NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE 文件：174.67 Kbytes 页数：24 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD43256B-BXX	文件：794.06 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 32,768 words by 8 bits organization • Fast access time: 70, 85, 100, 120 ns (MAX.) • Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V) • Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.) • /OE input for easy application 文件：794.06 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD43256B-BXXX	文件：659.4 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 32,768 words by 8 bits organization • Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.) • Operating ambient temperature: TA = –25 to +85 °C • Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 • Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.) • /OE input for ea 文件：659.4 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
UPD43256B
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
32k~8 70ns 4.5V to 5.5V DIP
功能描述：
32k~8 70ns 4.5V to 5.5V DIP Cut Tape
制造商：
NEC Electronics Corporation
功能描述：
IC SRAM CMOS 256K 43256 DIP28

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