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UPD44325364BF5-E40-FQ1-A	文件：446.81 Kbytes Page：40 Pages	36M-BIT QDRTM II SRAM 4-WORD BURST OPERATION Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(15x17) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD44325364BF5-E40-FQ1-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
PD44325364BF5-E40-FQ1	文件：458.6 Kbytes Page：40 Pages	36M-BITQDRTMIISRAM4-WORDBURSTOPERATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PD44325364BF5-E40-FQ1-A	文件：458.6 Kbytes Page：40 Pages	36M-BITQDRTMIISRAM4-WORDBURSTOPERATION	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD44325364BF5-E40-FQ1	文件：393.02 Kbytes Page：36 Pages	36M-BITQDRTMIISRAM2-WORDBURSTOPERATION Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(15x17) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD44325364BF5-E40-FQ1	文件：446.81 Kbytes Page：40 Pages	36M-BITQDRTMIISRAM4-WORDBURSTOPERATION Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(15x17) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

Density (Mbits)：
36
Architecture：
QDR-II
Burst Length (words)：
4
Read Latency (Clock)：
1.5
Data Width (bits)：
36
MAX Frequency (MHz)：
250
MIN Frequency (MHz)：
120
Package Body Size：
15x17mm
Operation Temp (degC)：
Ta=0 to 70
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPD44325364BF5-E40-FQ1-A供应商更新时间2025-7-27 15:01:00

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