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UPD43256B-B	文件：174.67 Kbytes Page：24 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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UPD43256B-BXXX	文件：659.4 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •32,768wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) •Operatingambienttemperature:TA=–25to+85°C •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5 •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •/OEinputforea	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPD43256B-X	文件：127.11 Kbytes Page：20 Pages	256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BITEXTENDEDTEMPERATUREOPERATION Description TheμPD43256B-Xisahighspeed,lowpower,and262,144bits(32,768wordsby8bits)CMOSstaticRAM. TheμPD43256B-Xisanextended-operating-temperatureversionoftheμPD43256B(Xversion:TA=–25to+85°C).AndAandBversionsarelowvoltageoperations.Batterybackupisava	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD43256B-X	文件：659.4 Kbytes Page：22 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT Features •32,768wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) •Operatingambienttemperature:TA=–25to+85°C •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5 •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •/OEinputforea	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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深圳市富诚威科技有限公司	UPD43256BC-55L	NEC	24+	DIP-28	4650		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	UPD43256BC-55L	NEC	2023+	DIP-28	50000	原装现货	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	UPD43256BCX-70		24+	DIP	2700	全新原装自家现货优势!	询价
深圳市一线半导体有限公司	UPD43256BCX-70LL		24+	DIP	21		询价
香港创芯邦电子有限公司	UPD43256BCZ		23+	DIP-28	22	现货或发货一天	询价
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深圳市华斯顿科技有限公司	UPD43256BCZ-12L	NEC	25+23+	DIP	38934	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
万三科技(深圳)有限公司	UPD43256BCZ-55	RENESAS	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
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更多UPD43256B-B供应商更新时间2025-5-23 16:35:00

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