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UPD43256BGU-85L-A	文件：794.06 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 32,768 words by 8 bits organization • Fast access time: 70, 85, 100, 120 ns (MAX.) • Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V) • Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.) • /OE input for easy application 文件：794.06 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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UPD43256BGU-85LL	文件：174.67 Kbytes Page：24 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT [NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE 文件：174.67 Kbytes 页数：24 Pages	NEC 瑞萨	NEC

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