UPA814T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
UPA814T |
参数属性 | UPA814T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO |
功能描述 | SILICON TRANSISTOR |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
327.71 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | RENESAS |
中文名称 | 瑞萨 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-5 17:30:00 |
人工找货 | UPA814T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
UPA814T规格书详情
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
(WITH BUILT-IN 2 ´ 2SC5193) SMALL MINI MOLD
FEATURES
• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion
• Low Noise
NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz
NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
• Large Absolute Maximum Collector Current
IC = 100 mA
• A Small Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 ´ 2SC5193)
产品属性
- 产品编号:
UPA814T-T1
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
6V
- 频率 - 跃迁:
9GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 3mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
6-SO
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2450+ |
DIP16 |
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NEC |
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