UPA814T分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
UPA814T |
| 参数属性 | UPA814T 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO |
| 功能描述 | SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
327.71 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 22:59:00 |
| 人工找货 | UPA814T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
UPA814T规格书详情
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
(WITH BUILT-IN 2 ´ 2SC5193) SMALL MINI MOLD
FEATURES
• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion
• Low Noise
NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz
NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
• Large Absolute Maximum Collector Current
IC = 100 mA
• A Small Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 ´ 2SC5193)
产品属性
- 产品编号：
UPA814T-T1
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
9GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 3mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
6-SO
- 描述：
RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
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NEC |
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