UPA806T-A说明书PDF资料批发采购强茂第3页-114ic电子网

首页 >UPA806T-A>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
BR806	文件：74.52 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
BR806	文件：86.77 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC	EIC
BR806G	文件：144.01 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR806G	文件：33.27 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR806G	文件：93.04 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Surgeoverloadrating-175amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
BR806G	文件：98.67 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000VoltsFORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Surgeoverloadrating-175amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR806G	文件：350.52 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BS806B	文件：167.58 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey TheBS801B/02B/04B/06B/08Barearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Operatingvoltage:2.2V~5.5V Ultra	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
BS806C	文件：181.22 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey GeneralDescription TheBS801C/02C/04C/06C/08Carearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Features Op	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
BSL806N	文件：241.69 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS806N	文件：251.6 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS806N	文件：160.8 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	TYSEMITaiwan TY Semiconductor Co. , Ltd. 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
BSS806N	文件：247.24 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
BSS806NE	文件：572.61 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •ESDprotected •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BU806	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BU806	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BU806	文件：134.5 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BU806	文件：347.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORv	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BU806	文件：48.21 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage: VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BU806	文件：101.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialplanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationmountedin aTO-220plasticpackage. Theyarehighvoltage,highcurrentdevicesforfastswitchingapplications. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET

<<<1 234 5 6 >>>

产品属性

产品编号：
UPA806T-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
频率 - 跃迁：
12GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 2GHz
增益：
8.5dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 10mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SOT-363
描述：
RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	UPA806T-A	CEL	17+	原厂原封	1000	原装正品	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	UPA806T-A	California Eastern Labs	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	UPA806T-A	CEL	24+	6-TSSOP,SC-88,SOT-363	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市一线半导体有限公司	UPA806T-T1	NEC		SOT-23	961		询价
深圳市力通伟业半导体有限公司	UPA806T-T1	NEC	13+	SOT-363	27000	特价热销现货库存	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	UPA806T-T1	原厂正品	23+	SOT363	12000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	UPA806T-T1	SOT-363	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	UPA806T-T1	NEC	22+23+	Sot-363	34483	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	UPA806T-T1	NEC	19+	SOT363	9860	一级代理	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	UPA806T-T1	NEC	2020+	SOT363	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价

更多UPA806T-A供应商更新时间2024-6-6 17:50:00

产品属性

相关规格书

相关库存