首页>UPA2210T1M>规格书详情
UPA2210T1M中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
UPA2210T1M规格书详情
DESCRIPTION
The μ PA2210T1M is P-channel MOS Field Effect Transistor designed
for power management applications of portable equipments, such as
load switch.
FEATURES
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 29 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.2 A)
RDS(on)2 = 41 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −3.6 A)
RDS(on)3 = 81 mΩ MAX. (VGS = −1.8 V, ID = −3.6 A)
• Built-in gate protection diode
• −1.8 V Gate drive available
产品属性
- 型号：
UPA2210T1M
- 功能描述：
MOSFET P-CH 20V VSOF-SLIM
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
SOT23-8 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
9250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
VSOF8 |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SOT-8 |
20000 |
全新原装 公司现货 价优 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-23-8 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
标准封装 |
58870 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-8 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
VSOF8 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
VSOP8 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 |
