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UPA2210T1M	文件：356.85 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2210T1MisP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=29mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−7.2A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−3.6A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPA2210T1M

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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详细参数

型号：
UPA2210T1M
功能描述：
MOSFET P-CH 20V VSOF-SLIM
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	UPA2210T1M	RENESAS	21+	VSOP8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多UPA2210T1M供应商更新时间2024-6-5 13:00:00

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