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UPA2210T1M	文件：356.85 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2210T1M is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 29 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.2 A) RDS(on)2 = 41 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −3.6 A) 文件：356.85 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2210T1M-T1-AT	文件：356.85 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2210T1M is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 29 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.2 A) RDS(on)2 = 41 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −3.6 A) 文件：356.85 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2210T1M-T2-AT	文件：356.85 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2210T1M is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of portable equipments, such as load switch. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 29 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.2 A) RDS(on)2 = 41 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −3.6 A) 文件：356.85 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
UPA2210T1M
功能描述：
MOSFET P-CH 20V VSOF-SLIM
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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