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UPA2200T1M-T2-AT中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

UPA2200T1M-T2-AT

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

354.02 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-19 23:00:00

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UPA2200T1M-T2-AT规格书详情

DESCRIPTION

The μ PA2200T1M is N-channel MOS Field Effect Transistor designed

for power management applications of portable equipments, such as

load switch.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 23 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A)

RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 4 A)

• Built-in gate protection diode

• 4.5 V Gate drive available

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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