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UN301P23T	文件：5.94817 Mbytes Page：7 Pages	丝印：R1；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advancedtrenchcelldesign LowThermalResistance LowGateCharge Halogen-Free&Lead-Free Applications LoadSwitchforPortableDevices Voltagecontrolledsmallsignalswitch	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN301P23T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET;	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
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UN301P23T

文件：5.94817 Mbytes

Page：7 Pages

丝印：R1；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature Advancedtrenchcelldesign LowThermalResistance LowGateCharge Halogen-Free&Lead-Free Applications LoadSwitchforPortableDevices Voltagecontrolledsmallsignalswitch

UNSEMIUN Semiconducctor INC

优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

UNSEMI

UN301P23T

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MOSFET;

UNSEMIUN Semiconducctor INC

优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

UNSEMI

UN301P23TL

文件：3.6207 Mbytes

Page：9 Pages

丝印：3401；Package：SOT-23L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features SurfaceMountPackage LeadFreeProductisAcquired HighPowerandCurrentHandingCapability Applications LoadSwitch PWMApplications PowerManagement

UNSEMIUN Semiconducctor INC

优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

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技术参数

类型：
PMOS
VDS (V)：
-30
VGS (V)：
±12
VTH (MIN) (V)：
-0.7
VTH (MAX) (V)：
-1.3
ID @25°C (A)：
-4.2
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)：
41
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)：
60
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)：
48
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)：
70
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ)：
/
ESD：
YES
AEC-Q101：
NO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
北京京北通宇电子元件有限公司	UN301P23T	UN SEMICONDUCTOR	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价
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