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UN301P23T

丝印:R1;Package:SOT-23;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature Advanced trench cell design Low Thermal Resistance Low Gate Charge Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch

文件:5.94817 Mbytes 页数:7 Pages

UNSEMI

优恩半导体

UN301P23TL

丝印:3401;Package:SOT-23L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Surface Mount Package Lead Free Product is Acquired High Power and Current Handing Capability Applications Load Switch PWM Applications Power Management

文件:3.6207 Mbytes 页数:9 Pages

UNSEMI

优恩半导体

UN301P23T

MOSFET

UNSEMI

优恩半导体

UNMEN05GC1C31AS

UNIGROUP/紫光微
BGA

UNIGROUP/紫光微

上传:深圳市恒佳微电子有限公司

UNIGROUP/紫光微

技术参数

  • 类型:

    PMOS

  • VDS (V):

    -30

  • VGS (V):

    ±12

  • VTH (MIN) (V):

    -0.7

  • VTH (MAX) (V):

    -1.3

  • ID @25°C (A):

    -4.2

  • RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ):

    41

  • RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ):

    60

  • RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ):

    48

  • RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ):

    70

  • RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ):

    /

  • ESD:

    YES

  • AEC-Q101:

    NO

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
UN SEMICONDUCTOR
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更多UN301P23T供应商 更新时间2025-10-7 14:01:00