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UF9Z24L-TA3-T	文件：184.04 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UF9Z24L-TA3-T	文件：155.65 Kbytes Page：3 Pages	12A, 55V P-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UF9Z24L-TF1-T	文件：184.04 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UF9Z24L-TF2-T	文件：184.04 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UF9Z24L-TF3-T	文件：184.04 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UF9Z24L-TN3-R	文件：184.04 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UF9Z24L-TN3-T	文件：184.04 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
IRF9Z24	文件：174.81 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24	文件：287.18 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETs FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightmeperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF9Z24	文件：1.81473 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24	文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24	文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z24	文件：158.74 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24L	文件：825.68 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. ●AdvancedProcessTe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z24L	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24L	文件：311.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-11A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24LPBF	文件：2.30422 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z24N	文件：109.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-12A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9Z24N	文件：720.61 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z24N	文件：550.05 Kbytes Page：8 Pages	-55VP-ChannelMOSFET Features VDS(V)=-55V ID=-12A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW

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详细参数

型号：
UF9Z24L
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
12A, 55V P-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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