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UF28100	文件：188.74 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, lOOW, 28V 100 - 500 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Competitive Devices 文件：188.74 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
UF28100H	文件：192.14 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 100W, 28V 100 - 500 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Competitive Devices 文件：192.14 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
UF28100H	文件：235.96 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 100W, 100-500 MHz, 28V Features • N-channel enhancement mode device • DMOS structure • Lower capacitances for broadband operation • High saturated output power • Lower noise figure than competitive devices • RoHS Compliant 文件：235.96 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
UF28100M	文件：235.57 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 100W, 100-500 MHz, 28V RF Power MOSFET Transistor 100W, 100-500 MHz, 28V Features • N-channel enhancement mode device • DMOS structure • Lower capacitances for broadband operation • High saturated output power • Lower noise figure than competitive devices • RoHS Compliant 文件：235.57 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
UF28100M	文件：188.74 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, lOOW, 28V 100 - 500 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Competitive Devices 文件：188.74 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
UF28100V	文件：208.7 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 15W, 28V 100-500MHz Features • N-Channel Enhancement &lode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Competitive Devices 文件：208.7 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
UF28100V	文件：224.2 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 100W, 100-500 MHz, 28V Features • N-channel enhancement mode device • DMOS structure • Lower capacitances for broadband operation • High saturated output power • Lower noise figure than competitive devices 文件：224.2 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
UF28100H	文件：235.96 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 文件：235.96 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
UF28100H_15	文件：235.96 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 文件：235.96 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
UF28100H_17	文件：661.73 Kbytes Page：4 Pages	RF Power MOSFET Transistor 文件：661.73 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM

技术参数

Bias Voltage：
28V
Efficiency：
50%
Min Frequency：
100MHz
Pout：
100W
Max Frequency：
500MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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