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UF28100V	文件：208.7 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 15W, 28V 100-500MHz Features •N-ChannelEnhancement&lodeDevice •DMOSStructure •LowerCapacitancesforBroadbandOperation •HighSaturatedOutputPower •LowerNoiseFigureThanCompetitiveDevices	MACOM Tyco Electronics
UF28100V	文件：224.2 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 100W, 100-500 MHz, 28V Features •N-channelenhancementmodedevice •DMOSstructure •Lowercapacitancesforbroadbandoperation •Highsaturatedoutputpower •Lowernoisefigurethancompetitivedevices	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
UF28100V	文件：224.2 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
UF28100V_15	文件：224.2 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
UF28100V_17	文件：648.08 Kbytes Page：4 Pages	RF Power MOSFET Transistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
28100	文件：347.05 Kbytes Page：6 Pages	OtherACandDCMetersAvailable	HONEYWELL-ACCHoneywell Accelerometers 霍尼韦尔霍尼韦尔国际公司
28100	文件：59.73 Kbytes Page：1 Pages	BODY-BRASS,NICKELPLATINGCONTACT-BRASS,SILVERPLATING	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团
BYV28100	文件：75.48 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASUPER-FASTGLASSBODYRECTIFIER Features •HermeticallySealedGlassBodyConstruction •ControlledAvalancheCharacteristics •Super-FastSwitchingforHighEfficiency •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto90APeak •LowReverseLeakageCurrent	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
UF28100	文件：188.74 Kbytes Page：3 Pages	RFMOSFETPowerTransistor,lOOW,28V100-500MHz Features •N-ChannelEnhancementModeDevice •DMOSStructure •LowerCapacitancesforBroadbandOperation •HighSaturatedOutputPower •LowerNoiseFigureThanCompetitiveDevices	MACOM Tyco Electronics
UF28100H	文件：235.96 Kbytes Page：3 Pages	RFPowerMOSFETTransistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
UF28100H	文件：192.14 Kbytes Page：3 Pages	RFMOSFETPowerTransistor,100W,28V100-500MHz Features •N-ChannelEnhancementModeDevice •DMOSStructure •LowerCapacitancesforBroadbandOperation •HighSaturatedOutputPower •LowerNoiseFigureThanCompetitiveDevices	MACOM Tyco Electronics
UF28100H	文件：235.96 Kbytes Page：3 Pages	RFPowerMOSFETTransistor100W,100-500MHz,28V Features •N-channelenhancementmodedevice •DMOSstructure •Lowercapacitancesforbroadbandoperation •Highsaturatedoutputpower •Lowernoisefigurethancompetitivedevices •RoHSCompliant	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
UF28100M	文件：235.57 Kbytes Page：3 Pages	RFPowerMOSFETTransistor100W,100-500MHz,28V RFPowerMOSFETTransistor 100W,100-500MHz,28V Features •N-channelenhancementmodedevice •DMOSstructure •Lowercapacitancesforbroadbandoperation •Highsaturatedoutputpower •Lowernoisefigurethancompetitivedevices •RoHSCompliant	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
UF28100M	文件：235.57 Kbytes Page：3 Pages	RFPowerMOSFETTransistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
UF28100M	文件：188.74 Kbytes Page：3 Pages	RFMOSFETPowerTransistor,lOOW,28V100-500MHz Features •N-ChannelEnhancementModeDevice •DMOSStructure •LowerCapacitancesforBroadbandOperation •HighSaturatedOutputPower •LowerNoiseFigureThanCompetitiveDevices	MACOM Tyco Electronics

详细参数

型号：
UF28100V
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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