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ASM810	文件：220.91 Kbytes Page：10 Pages	3PinMicrocontrollerPowerSupplySupervisor	ALSC Alliance Semiconductor Corporation	ALSC
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AWS810	文件：158.03 Kbytes Page：3 Pages	AutomaticWeatherStationAWS810 Features •Completesolutionforweather datacollection •Excellentexpandabilityand flexibility •Modernsecurityarchitecture •WMO‑compliantsensorsanddata validation •Includesthenextgeneration VaisalaDataManagementUnit DMU801 •Enhancedremotemaintenance andconfigurati	VAISALAVaisala 维萨拉（北京）维萨拉（北京）测量技术有限公司	VAISALA
BCL-810	文件：178.02 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingtongueTerminalfor8AWGWire,StudSize10,Un-plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BCL-810-PL	文件：178.46 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor8AWGWire,StudSize10,Plated,	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BD810	文件：91.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD809 ·DCcurrentgain :hFE=30(Min)@IC=2.0Adc APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD810	文件：127.28 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPTransistors ♦Features •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •WithTO-220package	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BD810	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD810	文件：132.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD809 ·DCcurrentgain :hFE=30(Min)@IC=2.0Adc APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD810	文件：49.56 Kbytes Page：8 Pages	POWERTRANSISTORSPNPSILICON PlasticHighPowerSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain-hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •Pb-FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD810	文件：127.26 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD810G	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD810G	文件：95 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BR810	文件：22.98 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BR810	文件：80.22 Kbytes Page：1 Pages	BRIDGERECTIFIERS BRIDGERECTIFIERS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1

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产品属性

产品编号：
TX810IRHHT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 模拟开关 - 特殊用途
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
应用：
超声
多路复用器/解复用器电路：
1：1
开关电路：
SPST
导通电阻（最大值）：
30 欧姆（标准）
电压 - 电源，单 (V+)：
2.5V ~ 5V
电压 - 供电，双 (V±)：
±2.5V ~ 5V
-3db 带宽：
140MHz
特性：
二极管桥，可编程偏置电流
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
36-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
36-VQFN（6x6）
描述：
IC SWITCH 8CH PROG 36VQFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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