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TSM4N60CPRO	文件：1.24039 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.24039 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4N60CPRO	文件：369.36 Kbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：369.36 Kbytes 页数：11 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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