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P4NB50	文件：163.39 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL500V-2.5ohm-3.8A-TO-220/TO-220FPPowerMesh??MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprieratyedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB4NB50	文件：64.19 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL500V-2.5ohm-3.8A-D2PAK/I2PAKPowerMESHOMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4NB50	文件：1.09031 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP4NB50	文件：163.39 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL500V-2.5ohm-3.8A-TO-220/TO-220FPPowerMesh??MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprieratyedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4NB50FP	文件：163.39 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL500V-2.5ohm-3.8A-TO-220/TO-220FPPowerMesh??MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprieratyedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSM4NB50	文件：187.08 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4NB50CPRO	文件：1.07813 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TSM4NB50CP ROG
功能描述：
MOSFET 500V N channl Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TSM4NB50CP ROG供应商更新时间2025-5-24 14:50:00

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