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AO4806	文件：177.42 Kbytes Page：4 Pages	20VDualN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4806	文件：1.20837 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=20V ●ID=9.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4806	文件：117.85 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4806usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom1.8Vto12V.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitat	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4806	文件：1.6148 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4806-HF	文件：1.49501 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=20V ●ID=9.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4806L	文件：117.85 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4806usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom1.8Vto12V.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitat	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
C4806	文件：219.43 Kbytes Page：3 Pages	ACinput1or3-phase,47-400Hz	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
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DW4806B	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FTK4806T	文件：800.54 Kbytes Page：5 Pages	40VDualN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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