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TSM4946DCS	文件：319.04 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power FEATURES ● Advance Trench Process Technology ● High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance ● RoHS Compliant ● Halogen-free APPLICATIONS ● High-Side DC/DC Conversion ● Notebook ● Sever 文件：319.04 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4946DCSRLG	文件：2.1542 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：2.1542 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4953DCSRL	文件：2.12225 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches 文件：2.12225 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4N60CHC5	文件：2.14259 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S)Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：2.14259 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4N60CPRO	文件：1.24039 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.24039 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4N60CZCO	文件：1.2186 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.2186 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4N80CIC0	文件：2.35623 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：2.35623 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4NB60CPROG	文件：1.16875 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.16875 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4NB60CZC0	文件：1.29025 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.29025 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4YJ	文件：104.83 Kbytes Page：5 Pages	5 mm Square Surface Mount Miniature Trimmers Multi-Turn Cermet Sealed FEATURES • 0.25 W at 70 °C • Professional and industrial grade • Wide ohmic range (10  to 1 M) • Low contact resistance variation (2 or 3 ) • Small size for optimum packaging density • Tests according to CECC 41000 or IEC 60393-1 • Material categorization: for definitions of compliance 文件：104.83 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Single
Status：
NRND
Replacement：
TSM4806CS
AEC-Q：
No
VDS (V)：
20
VGS ±(V)：
8
ID Max. (A)：
8
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
30
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
23
RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ)：
35
RDS(ON) @ 2.5V Typ. (mΩ)：
25
RDS(ON) @ 1.8V Max. (mΩ)：
45
RDS(ON) @ 1.8V Typ. (mΩ)：
35
Qg (nC) @ 4.5V：
11.2
Qgd (nC)：
2.2
Qgs (nC)：
1.4
Ciss (pF)：
500
Coss (pF)：
300
Crss (pF)：
140
MSL：
3
VGS(th) Max. (V)：
1
VGS(th) Typ. (V)：
0.65

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技术参数

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