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TSM4946DCS	文件：319.04 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power FEATURES ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance ●RoHSCompliant ●Halogen-free APPLICATIONS ●High-SideDC/DCConversion ●Notebook ●Sever	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4946DCSRLG	文件：2.1542 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4953DCSRL	文件：2.12225 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60CHC5	文件：2.14259 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S)Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60CPRO	文件：1.24039 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60CZCO	文件：1.2186 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N80CIC0	文件：2.35623 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4NB60CPROG	文件：1.16875 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4NB60CZC0	文件：1.29025 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4YJ	文件：104.83 Kbytes Page：5 Pages	5 mm Square Surface Mount Miniature Trimmers Multi-Turn Cermet Sealed FEATURES •0.25Wat70°C •Professionalandindustrialgrade •Wideohmicrange(10to1M) •Lowcontactresistancevariation(2or3) •Smallsizeforoptimumpackagingdensity •TestsaccordingtoCECC41000orIEC60393-1 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
TSM4
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Surface Mount Miniature Trimmers Multi-Turn Cermet Sealed

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	TSM43ZL502		24+		500		询价
深圳市星佑电子有限公司	TSM43YJ50210	VHY	05+	原厂原装	19551	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	TSM4YJ102KR05	PASSIVE	250	SFR	1250		询价
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更多TSM4供应商更新时间2025-7-12 16:00:00

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