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UM2301S	文件：200.22 Kbytes Page：7 Pages	20VP-ChannelPowerMOSFET	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM2301S	文件：279.7 Kbytes Page：7 Pages	20VP-ChannelPowerMOSFET	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UNPM2301	文件：1.3347 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UPG2301TQ	文件：227.95 Kbytes Page：12 Pages	GaAsHBTINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Operationfrequency:fopt=2400to2500MHz(2450MHzTYP.) •Supplyvoltage:VCC1,2=Vbias=2.7to3.6V(3.3VTYP.) •Controlvoltage:Vcont=0to3.6V(2.5VTYP.) :Venable=0to3.1V(2.9VTYP.) •Circuitcurrent:ICC=120mATYP.@VCC1,2=Vbias=3.3V,Vc	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2301TQ	文件：123.05 Kbytes Page：6 Pages	NECsPOWERAMPLIFIERFORBLUETOOHCLASS1 [CEL] DESCRIPTION NECsµPG2301TQisaGaAsHBTMMICforpoweramplifierforBluetoothClass1. Thisdevicerealizeshighefficiency,highgainandhighoutputpowerbyusingInGaPHBT.Thisdeviceishousedinalowprofile10-pinplasticTSONpackage. FEATURES •OPERATIONFREQUENCY fopt	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
US2301	文件：2.23858 Mbytes Page：6 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
US2301	文件：353.41 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	XINDEYI ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.	XINDEYI
UT2301	文件：184.21 Kbytes Page：4 Pages	2.8A,20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTCUT2301isP-channelenhancementmodepowerMOSFET,designedinserriedranks.Withfastswitchingspeed,lowon-resistance,favorablestabilization. UsedincommercialandindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT2301Z	文件：165.13 Kbytes Page：4 Pages	2.3A,20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET 2.3A,20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTCUT2301ZisaP-channelenhancementmodepowerMOSFETwithfastswitchingspeed,lowon-resistanceandfavorablestabilization.Itcanbeusedincommercialandindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VBZ2301	文件：472.2 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TSM2301CX
功能描述：
MOSFET 20V P channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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