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UPG2301TQ	文件：123.05 Kbytes Page：6 Pages	NECs POWER AMPLIFIER FOR BLUETOOH CLASS 1 [CEL] DESCRIPTION NECsµPG2301TQisaGaAsHBTMMICforpoweramplifierforBluetoothClass1. Thisdevicerealizeshighefficiency,highgainandhighoutputpowerbyusingInGaPHBT.Thisdeviceishousedinalowprofile10-pinplasticTSONpackage. FEATURES •OPERATIONFREQUENCY fopt	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
UPG2301TQ	文件：227.95 Kbytes Page：12 Pages	GaAs HBT INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Operationfrequency:fopt=2400to2500MHz(2450MHzTYP.) •Supplyvoltage:VCC1,2=Vbias=2.7to3.6V(3.3VTYP.) •Controlvoltage:Vcont=0to3.6V(2.5VTYP.) :Venable=0to3.1V(2.9VTYP.) •Circuitcurrent:ICC=120mATYP.@VCC1,2=Vbias=3.3V,Vc	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2301TQ-E1	文件：227.95 Kbytes Page：12 Pages	Marking：2301；Package：TSON；GaAs HBT INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Operationfrequency:fopt=2400to2500MHz(2450MHzTYP.) •Supplyvoltage:VCC1,2=Vbias=2.7to3.6V(3.3VTYP.) •Controlvoltage:Vcont=0to3.6V(2.5VTYP.) :Venable=0to3.1V(2.9VTYP.) •Circuitcurrent:ICC=120mATYP.@VCC1,2=Vbias=3.3V,Vc	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
US2301	文件：2.23858 Mbytes Page：6 Pages	P-Ch20VFastSwitchingMOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
US2301	文件：353.41 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	XINDEYI ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.	XINDEYI
UT2301	文件：184.21 Kbytes Page：4 Pages	2.8A,20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTCUT2301isP-channelenhancementmodepowerMOSFET,designedinserriedranks.Withfastswitchingspeed,lowon-resistance,favorablestabilization. UsedincommercialandindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT2301Z	文件：165.13 Kbytes Page：4 Pages	2.3A,20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET 2.3A,20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTCUT2301ZisaP-channelenhancementmodepowerMOSFETwithfastswitchingspeed,lowon-resistanceandfavorablestabilization.Itcanbeusedincommercialandindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VBZ2301	文件：472.2 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBZ2301A	文件：472.66 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBZ2301X	文件：472.21 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
UPG2301TQ
功能描述：
射频放大器 Power Amplifier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPG2301TQ供应商更新时间2025-7-24 10:20:00

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