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TSM1N60SCTB0	文件：166.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET General Description The TSM1N60S is used an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstandhigh energy in avalanche and commutation modes. The new energy e 文件：166.25 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60CPRO	文件：1.08797 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08797 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM1N60L	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：406.46 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60L_07	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：406.46 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60L_10	文件：311.14 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：311.14 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60LCH	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：406.46 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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TSM1N60LCP	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：406.46 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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TSM1N60S	文件：371.46 Kbytes Page：6 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：371.46 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

详细参数

型号：
TSM1N60
制造商：
Taiwan Semiconductor
功能描述：
MOSFET N 600V D-PAK

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