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TSM1N60L	文件：173.91 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET General Description The TSM1N60L is used an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficien 文件：173.91 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60L	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：406.46 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60LCH	文件：173.91 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET General Description The TSM1N60L is used an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficien 文件：173.91 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60LCP	文件：173.91 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET General Description The TSM1N60L is used an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficien 文件：173.91 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60LCPRO	文件：1.17854 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.17854 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM1N60L_07	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：406.46 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60L_10	文件：311.14 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：311.14 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60LCH	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：406.46 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60LCHC5	文件：311.14 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：311.14 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60LCP	文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：406.46 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

详细参数

型号：
TSM1N60L
功能描述：
MOSFET 600V 1.0A 2.5W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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