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HLDG110N06	文件：826.53 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
HLDG110N06	文件：603.77 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HY110N06T	文件：252.38 Kbytes Page：4 Pages	55V/110AN-ChannelEnhancementModeMOSFET 55V,RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V,ID=30A Features •LowOn-StateResistance •ExcellentGateChargexRDS(ON)Product(FOM) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforDC-DCConverter,Off-lineUPS,AutomotiveSystem,SolenoidandMotorControl •I	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IPB110N06L	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IXFK110N06	文件：328.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
TSM110N06
制造商：
TSC
制造商全称：
Taiwan Semiconductor Company, Ltd
功能描述：
55V N-Channel Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	TSM110N06CZC0	T	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市胜彬电子有限公司	TSM110N06CZC0	TOSHIBA	22+	TO-220	3000	原装正品,支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	TSM110N06CZC0	VBSEMI/台湾微碧	22+	P-TO220-3-1	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市科翼源电子有限公司	TSM110NB04CR	TSC	23+	PDFN56	7500	原厂原装正品	询价
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深圳市天芯威科技有限公司	TSM110NB04CR	TSC	22+23+	PDFN56	8000	新到现货，只做原装进口	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	TSM110NB04CR	TSC	24+	PDFN56	12000	原装	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	TSM110NB04CR	NK/南科功率	2025+	PDFN56	986966	国产	询价
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更多TSM110N06供应商更新时间2025-5-24 14:02:00

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