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VBL1203M	文件：721.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1203	文件：458.97 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBM1203M	文件：524.75 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •DT-TrenchPowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1203M	文件：509.79 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBMB1203M	文件：1.9671 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VRB1203(X)D-10WR2	文件：360.03 Kbytes Page：6 Pages	negativedual/singleoutputDC-DCconverter	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司	MORNSUN
WI.DP1203-XXX-R	文件：487.15 Kbytes Page：17 Pages	TrueUARTtoAntennaSolution	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
WST-1203BX	文件：59.85 Kbytes Page：1 Pages	WashableType	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON
WST-1203BX	文件：340.26 Kbytes Page：5 Pages	THISSPECIFICATIONAPPLIESTOTHEELECTROMAGNETICBUZZER	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON

详细参数

型号：
TSC1203ECM RNG
功能描述：
两极晶体管 - BJT High voltage NPN Transistor w/diode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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