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TSC1203ECMRNG	文件：81.78 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltageNPNTransistorHighswitchingspeedBVCBO1050V	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TUL1203	文件：153.11 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
TUL1203	文件：133.08 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
TZ1203A	文件：301.95 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.524.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ1203B	文件：7.43326 Mbytes Page：8 Pages	YourBestPartnerForFrequencyDevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
VBA1203M	文件：574.93 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1203M	文件：586.36 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
TSC1203ECM RNG
功能描述：
两极晶体管 - BJT High voltage NPN Transistor w/diode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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