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TSB11	文件：534.9 Kbytes Page：4 Pages	EURO TERMINAL BLOCKS [ADAMTECHNOLOGIESINC.] INTRODUCTION: AdamTechTSseriesEuroTerminalBlocksoffertheadvantagesofourleadingdesignedwhileprovidingoneofthelowestappliedcostinterconnectionspossible.Thisseriesincludes3variationsofourstandardblock,amicrominiaturetypeforultraspacesv	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TSB1132	文件：44.45 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency PNP Transistor Features ●LowVCE(SAT)-0.15@IC/IB=--.5A/-50mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1132CY	文件：44.45 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency PNP Transistor Features ●LowVCE(SAT)-0.15@IC/IB=--.5A/-50mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184A	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
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TSB1184ACPQ	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184ACPR	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184ACPS	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSB1184CP	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
TSB11
功能描述：
EURO TERMINAL BLOCKS

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