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TSB1184ACPR	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) ● Excellent DC current gain characteristics Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：45.7 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB1184ACPRO	文件：314.94 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：314.94 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB1184ACPS	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) ● Excellent DC current gain characteristics Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：45.7 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB1184CP	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) ● Excellent DC current gain characteristics Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：45.79 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB1184CPQ	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) ● Excellent DC current gain characteristics Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：45.79 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

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