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TSB1184ACP	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) ● Excellent DC current gain characteristics Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：45.7 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB1184ACPQ	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) ● Excellent DC current gain characteristics Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：45.7 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB1184ACPR	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) ● Excellent DC current gain characteristics Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：45.7 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB1184ACPS	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) ● Excellent DC current gain characteristics Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：45.7 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB1184ACPRO	文件：314.94 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：314.94 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

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