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TSB1132CY	文件：44.45 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.15 @ IC / IB = --.5A / -50mA (Typ.) ● Excellent DC current gain characteristics Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：44.45 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB1132CYRM	文件：198.5 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：198.5 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TZ1132A	文件：339.6 Kbytes Page：6 Pages	SMD 6.0x3.5 27MHz Crystal Unit Features: Surface Mount Seam Weld Package Excellent Reliability Performance Good Frequency Perturbation and Stability over temperature Description and Applications: Surface mount 6.0mmx3.5mm crystal unit for use in wireless telecommunications devices. 文件：339.6 Kbytes 页数：6 Pages	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW
USR-1132	文件：184.88 Kbytes Page：1 Pages	TR/TRM Series 文件：184.88 Kbytes 页数：1 Pages	RICHCO	RICHCO

详细参数

型号：
TSB1132CY
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多TSB1132CY供应商更新时间2026-1-20 15:16:00

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