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ZTX951	文件：63.48 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHCURRENTTRANSISTOR PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHCURRENTTRANSISTOR 4Ampscontinuouscurrent Upto15Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltage Excellentgainupto10Amps *Spicemodelavailable	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZTX951	文件：263.67 Kbytes Page：7 Pages	GateDriver Description: M57161L-01isahybridintegratedcircuitdesignedfordrivingPowerexF-SeriesIGBTmodules.Thisgatedriverconvertslogiclevelcontrolsignalsintohighcurrentgatedrivewithsuitableonandoffbiasvoltages.Electricalisolationoftheinputcontrolsignalisprovidedbyan	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
ZTX951	文件：75.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHCURRENTTRANSISTOR PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHCURRENTTRANSISTOR 4Ampscontinuouscurrent Upto15Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltage Excellentgainupto10Amps *Spicemodelavailable	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXT951K	文件：137.16 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORIND-PAK DESCRIPTION PackagedintheD-PAKoutlinethishighcurrenthighperformance60VPNPtransistorofferslowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. FEATURES •6ampscontinuouscurrent •Upto15ampspeakcurrent •Lowequi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXT951K	文件：147.07 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORIND-PAK Features •BVCEO>-60V •RSAT=53mΩTypical •ContinuousCollectorCurrentIC=-6A •Upto15APeakCurrent •LowEquivalentOnResistance •LowSaturationVoltage •HighGainHoldsUp(100min@2A) •Lead-FreeFinish;RoHScompliant(Note1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gre	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXT951KQ	文件：441.06 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •RSAT=53mΩTypical •ContinuousCollectorCurrentIC=-6A •Upto-15APeakCurrent •LowEquivalentOnResistance •LowSaturationVolt	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXT951KQTC	文件：441.06 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •RSAT=53mΩTypical •ContinuousCollectorCurrentIC=-6A •Upto-15APeakCurrent •LowEquivalentOnResistance •LowSaturationVolt	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXT951KTC	文件：147.07 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORIND-PAK Features •BVCEO>-60V •RSAT=53mΩTypical •ContinuousCollectorCurrentIC=-6A •Upto15APeakCurrent •LowEquivalentOnResistance •LowSaturationVoltage •HighGainHoldsUp(100min@2A) •Lead-FreeFinish;RoHScompliant(Note1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gre	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXT951KTC	文件：137.16 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONMEDIUMPOWERTRANSISTORIND-PAK DESCRIPTION PackagedintheD-PAKoutlinethishighcurrenthighperformance60VPNPtransistorofferslowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. FEATURES •6ampscontinuouscurrent •Upto15ampspeakcurrent •Lowequi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

详细参数

型号：
TS951IDT
功能描述：
运算放大器 - 运放 Single Rail-to-Rail
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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