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FSL9230D	文件：46.11 Kbytes Page：8 Pages	3A,-200V,1.50Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL9230R	文件：46.11 Kbytes Page：8 Pages	3A,-200V,1.50Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS9230D	文件：45.22 Kbytes Page：8 Pages	4A,-200V,1.60Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS9230R	文件：45.22 Kbytes Page：8 Pages	4A,-200V,1.60Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
GFC9230	文件：117.76 Kbytes Page：1 Pages	PChannelPowerMOSFET	GSG Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
IRF9230	文件：22.19 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9230	文件：149.8 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSP-CHANNEL(Vdss=-200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=-6.5A) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorrever	IRF International Rectifier	IRF
IRF9230	文件：72.62 Kbytes Page：7 Pages	-5.5Aand-6.5A,-150Vand-200V,0.8and1.2Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description ThesedevicesareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedfor	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9230	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
TS9230CS RL
功能描述：
低压差控制器 - LDO 3A Ultra Low Dropout Voltage Regulator
RoHS：
否
制造商：
Micrel
最大输入电压：
5.5 V
输出电压：
Adjustable
输出电流：
10 mA
输出类型：
Adjustable, Fixed
输出端数量：
1
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	TS9230CSRLG	S	2450+	SOP8	6540	只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!	询价
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