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UM821TCE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM821ZAE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM821ZBE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM821ZCE	文件：414.89 Kbytes Page：17 Pages	ResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UPA821	文件：64.47 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5006FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheµPA821TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead6-pi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA821TC	文件：64.47 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5006FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheµPA821TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead6-pi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA821TF	文件：40.07 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA821TFhastwobuilt-inlow-voltagetransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband.Thetwodiearechosenfromadjacentlocationsonthewafer.Thesefeaturescombinedwiththepinconfigurationmakethisdeviceidealforbalancedormirrored	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA821TF	文件：225.22 Kbytes Page：18 Pages	SILICONTRANSISTOR HIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR (WITHBUILT-IN6-PIN2u2SC4226)THIN-TYPESMALLMINIMOLD FEATURES •Low-noise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •6-pinthin-typesmall	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
V-821PVF	文件：213.25 Kbytes Page：1 Pages	SURGEPROTECTOR	OKAYAOKAYA ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD. 冈谷电机工业株式会社	OKAYA
VCA821	文件：899.33 Kbytes Page：35 Pages	Wideband,>40dBGainAdjustRange,LinearinV/VVARIABLEGAINAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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产品属性

产品编号：
TS821AILT
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
参考类型：
分流器
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
1.225V
容差：
±1%
温度系数：
120ppm/°C
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
IC VREF SHUNT 1% SOT23-3

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