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SIHH24N65EF	文件：201.13 Kbytes Page：9 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP24N65E	文件：220.99 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Ser	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP24N65E	文件：328.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHP24N65E	文件：213.56 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP24N65E	文件：170.15 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP24N65EF	文件：176.35 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:for	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TRS24N65FB	文件：270.92 Kbytes Page：6 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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