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TRS24N65D	文件：166.51 Kbytes Page：5 Pages	SiC Schottky Barrier Diode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TRS24N65D,S1F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
IXFP24N65X	文件：313.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTH24N65	文件：322.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=145mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SIHA24N65EF	文件：190.38 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:for	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB24N65E	文件：212.2 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SIHH24N65EF	文件：201.8 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •Completelylead(Pb)-freedevice •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Kelvinconnectionforreducednoise •Materialcategorization:fordefinit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多TRS24N65D供应商更新时间2024-9-23 17:09:00

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